京都大学発、新規パワー半導体を手がけるFLOSFIAが総額7.5億円を資金調達

京都大学発、新規パワー半導体「コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)」の開発販売を手がけるFLOSFIAは、総額7億5000万円の第三者割当増資を実施した。


新規パワー半導体「コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)」の開発販売を手がけるFLOSFIAは、総額7億5000万円の第三者割当増資を実施した。

今回のラウンドには、みやこキャピタル、環境エネルギー投資、東京大学エッジキャピタル、ニッセイ・キャピタル、安川電機 、
京都大学イノベーションキャピタル、フューチャーベンチャーキャピタルが参加した。

α-Ga2O3とは、京都大学藤田静雄教授によって見出された画期的なパワー半導体材料。この半導体を用いたパワーデバイスは電力変換損失を大幅に削減させつつ(最大 90%程度)、電力変換回路全体のコストを大幅に低減させる(50%程度)ことが期待されており、量産化が望まれている。

FLOSFIAは、藤田静雄教授と連携し、α-Ga2O3半導体の研究開発に取り組み、数々の成果を上げてきた。具体的には、真空装置を使わない画期的な製造方法 MISTEPITAXY法を用いてダイオード(SBD)の実証試作に成功、世界最小の特性オン抵抗を実現し、高速スイッチングを確認、さらにα-Ga2O3半導体の弱点の克服となる技術開発にも成功、標準パッケージ(TO220)に実装して良好な熱抵抗を実現するとともに、α-Ga2O3 半導体とほぼ同じ格子定数を有する新規p型半導体酸化イリジウム(α-Ir2O3)を発見し、ノーマリーオフトランジスタ(FET)の基礎技術も構築してきた。

今後は、SBDおよびFETの製品化・量産化を加速するとともに、より幅広い産業領域で低損失・低コストなα-Ga2O3パワー半導体を展開することを目指す。

今回の資金調達によって、2018年に向けて、製造ラインを構築し、α-Ga2O3パワーデバイスを世界に先駆けて量産販売することを目指す。